Исследование проводят через 1,5-2 ч после приема пищи. Причем за 1-3 дня до проведения реографии отменяют, по возможности, все лекарственные препараты, которые могут изменить или повлиять на динамику кровенаполнения сосудов.Исследование проводят через 1,5-2 ч после приема пищи. Причем за 1-3 дня до проведения реографии отменяют, по возможности, все лекарственные препараты, которые могут изменить или повлиять на динамику кровенаполнения сосудов.
По форме реограммы оценивают состояние кровообращения в сосудах исследуемой области. При нарушении кровообращения, чаще всего обусловленном атеросклеротическими или воспалительными поражениями сосудов, амплитуда пульсовых колебаний на реограмме уменьшается или изменяется форма реаграммы
Исследование 133.07 Kb. 1 стр.
Биофизические основы импедансной плетизмографии
Природа составляющих реоплетизмограммы
Технические основы реографии
Основные схемы измерения импеданса
Методики реографических исследований
Регистрация РВГ
Отведения РВГ.
А БРис.3. Схема расположения электродов при реовазографии.
Исследование проводят через 1,5-2 ч после приема пищи. Причем за 1-3 дня до проведения реографии отменяют, по возможности, все лекарственные препараты, которые могут изменить или повлиять на динамику кровенаполнения сосудов. preview 1 Исследование проводят через 1,5-2 ч после приема пищи. Причем за 1-3 дня до проведения реографии отменяют, по возможности, все лекарственные препараты, которые могут изменить или повлиять на динамику кровенаполнения сосудов. preview 2 Исследование проводят через 1,5-2 ч после приема пищи. Причем за 1-3 дня до проведения реографии отменяют, по возможности, все лекарственные препараты, которые могут изменить или повлиять на динамику кровенаполнения сосудов. preview 3 Исследование проводят через 1,5-2 ч после приема пищи. Причем за 1-3 дня до проведения реографии отменяют, по возможности, все лекарственные препараты, которые могут изменить или повлиять на динамику кровенаполнения сосудов. preview 4
читать
Московский государственный институт электронной техники (технический университет)Московский государственный институт электронной техники (технический университет)
Разработка и исследование периферийных схем управления биполярной бис озу с байтовой организацией
45.7 Kb. 1 стр.
Задание на дипломный проект
Биполярня БИС для ОЗУ с байтовой организацией.
Разработать технологический маршрут создания проектируемой схемы
Сравнить затраты на создание ЭВМ при использовании однозарядных БИС ОЗУ и с байтовой организацией.
читать
Е. И. БочаровЕ. И. Бочаров
Бочаров Е. И., Гогоберидзе Г. Б., Першин Ю. М., Петров К. С. Электронные твердотельные приборы и микроэлектроника: Конспект лекций / спбгут спб, 2003. Ч. 2 *
Программа 0.6 Mb. 4 стр.
Е.И. Бочаров
Цели и задачи дисциплины
Основные задачи дисциплины
В результате изучения дисциплины студент должен знать
Е. И. Бочаров preview 1 Е. И. Бочаров preview 2 Е. И. Бочаров preview 3 Е. И. Бочаров preview 4 Е. И. Бочаров preview 5
читать
Устройство полевого транзистораУстройство полевого транзистора
С помощью постоянного источника (течения реки) и плотины создан перепад уровней воды. Затрачивая очень небольшую энергию на вертикальное перемещение затвора, мы можем управлять потоком воды большой мощности, т е управлять энергией мощного постоянного источника
Реферат 123.51 Kb. 1 стр.
Моп – транзисторы
Полевой транзистор с управляющим р-п- переходом
Полевой транзистор с изолированным затвором
Начальный ток стока
Устройство полевого транзистора preview 1 Устройство полевого транзистора preview 2
читать
Моделирование электротехнических устройств в matlab, SimPowerSystems и SimulinkМоделирование электротехнических устройств в matlab, SimPowerSystems и Simulink
Основные приемы подготовки и редактирования модели
Реферат 63.16 Kb. 1 стр.
читать
Московский энергетический институтМосковский энергетический институт
Сборник содержит руководство к основным лабораторно-практическим занятиям (лпз) и предназначен для студентов всех специальностей ЭнМФ,тэф,птэф и эфф
Программа 250.82 Kb. 1 стр.
Порядок работы в лаборатории электроники
Лабораторнно-практическое занятие №1
Объект исследования
Лабораторно-практическое занятие №2 ОДНОКАСКАДНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ Цель работы
Московский энергетический институт preview 1 Московский энергетический институт preview 2
читать
Основные приборы для измерения параметров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем 14Основные приборы для измерения параметров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем 14
Ранзисторы. Внутри, каждого из указанных видов приборы подразделяются на типы: диоды — по значениям максимально допустимого среднего прямого тока, тиристоры по значениям максимально допустимого прямого тока в открытом состоянии, стабилитроны — по значениям максимально допустимой мощности рассеяния
140.88 Kb. 1 стр.
Полупроводниковым диодом
Биполярный транзистор
Входная характеристика
Схема с общим эмиттером
Основные приборы для измерения параметров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем 14 preview 1 Основные приборы для измерения параметров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем 14 preview 2
читать
Сценарий игры, в которой принимают участие три команды по 10 человекСценарий игры, в которой принимают участие три команды по 10 человек
Орешек знаний тверд, но все же мы не привыкли отступать! Нам расколоть его поможет всего четыре слова: «Мы хотим все знать!!!»
Сценарий 0.5 Mb. 4 стр.
читать
Предощущения. Художественная культура, философия и наука на рубеже XIX и XX вековПредощущения. Художественная культура, философия и наука на рубеже XIX и XX веков
Идею магнетизма и установил возможность получения свойства магнетизма разными материалами при их натирании. Собственно, эти свойства У. Гилберт и называл электрическими. С этого момента электрические свойства начинают изучаться с помощью самых разных опытов
0.6 Mb. 3 стр.
читать
Кристаллы пособие для учителей и учеников элизабет А. Вуд, 1972Кристаллы пособие для учителей и учеников элизабет А. Вуд, 1972
По заказу Комиссии по преподаванию кристаллографии при Международном Союзе Кристаллографов
474.36 Kb. 6 стр.
Кристаллы пособие для учителей и учеников элизабет А. Вуд, 1972 preview 1 Кристаллы пособие для учителей и учеников элизабет А. Вуд, 1972 preview 2
читать
План-конспект урока Тема: «Чертежи и схемы по специальности. Схемы электрические принципиальные»План-конспект урока Тема: «Чертежи и схемы по специальности. Схемы электрические принципиальные» preview План-конспект урока Тема: «Чертежи и схемы по специальности. Схемы электрические принципиальные»
Вид урока: урок – лекция с элементами компьютерной визуализации и практической деятельности
План-конспект 308.13 Kb. 3 стр.
читать
Препроцессор пояснительная записка к курсовому проекту по курсу «Схемотехника эвм»Препроцессор пояснительная записка к курсовому проекту по курсу «Схемотехника эвм» preview Препроцессор пояснительная записка к курсовому проекту по курсу «Схемотехника эвм»
Графическая часть работы состоит из 4 документов: схема электрическая функциональная (Э2), схема электрическая принципиальная (Э3), диаграмма временная вычисления заданной функции (ТЧ), схема расположения одного из тэзов (Э7). Каждый документ содержит по 1 листу
Пояснительная записка 351.05 Kb. 6 стр.
читать
Физическое моделированиеФизическое моделирование
Реальные объекты и процессы бывают столь многогранны и сложны, что лучшим способом их изучения часто является построение модели, отображающей какую-то грань реальности и потому многократно более простой, чем эта реальность, и исследование вначале этой модели
103.32 Kb. 1 стр.
читать
Главного выключателя вов-25-4МГлавного выключателя вов-25-4М preview Главного выключателя вов-25-4М
Баку — Сабунчи — Сураханы Азербайджанской дороги на постоянном токе при напряжении в контактном проводе 1200 В. Следующий участок, также пригородный, Москва—Мытищи Московской дороги был электрифи­цирован в 1929 г на постоянном токе при напряжении в контактном проводе 1500 В
Литература 394.36 Kb. 2 стр.
читать
Гностический этос и нравственная метафизика л. П. КарсавинаГностический этос и нравственная метафизика л. П. Карсавина
Гоу впо «Тульский государственный педагогический университет им. Л. Н. Толстого»
Автореферат 1.55 Mb. 12 стр.
читать

1   ...   5   6   7   8   9   10   11   12   ...   82


Образовательный материал



При копировании материала укажите ссылку © 2013
контакты
www.lit-yaz.ru
главная страница